Les éléments semi-conducteurs les plus communs sont le silicium et le germanium. Les atomes de matériaux métalliques n'exercent qu'une attraction faible sur leurs électrons périphériques, ce sont de bons conducteurs. Les électrons périphériques dans les matériaux non métalliques sont retenus fermement, ce sont des isolants. Le germanium et le silicium sont à mi-chemin entre les deux. Quoique plutôt isolants à l'état pur, l'ajout d'impuretés, ou dopage, augmente leur conductivité.

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Les composants à base d'arséniure de gallium (GaAs, en anglais, "Gallium Arsenide") peuvent fonctionner à des vitesses supérieures tout en générant moins de bruit que celles faites de silicium.

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On ajoute des impuretés pour donner au germanium et au silicium leurs propriétés semi-conductrices. Certaines impuretés ajoutent des électrons libres, pour créer du matériau de type N, tandis que d'autres accaparent des électrons existants, ce qui forme les "trous" du matériau de type P.

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On ajoute des impuretés pour donner au germanium et au silicium leurs propriétés semi-conductrices. Certaines impuretés ajoutent des électrons libres, pour créer du matériau de type N, tandis que d'autres accaparent des électrons existants, ce qui forme les "trous" du matériau de type P.

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Le matériau de type P souffre d'un déficit d'électrons, les "trous" servent de porteurs de charge électrique. Le matériau de type N bénéficie d'un surplus d'électrons qui servent de porteurs de charge.

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Le matériau de type N bénéficie d'un surplus d'électrons qui servent de porteurs de charge. Le matériau de type P souffre d'un déficit d'électrons, les "trous" servent de porteurs de charge électrique.

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Les éléments semi-conducteurs les plus communs sont le silicium et le germanium. Les atomes de matériaux métalliques n'exercent qu'une attraction faible sur leurs électrons périphériques, ce sont de bons conducteurs. Les électrons périphériques dans les matériaux non métalliques sont retenus fermement, ce sont des isolants. Le germanium et le silicium sont à mi-chemin entre les deux. Quoique plutôt isolants à l'état pur, l'ajout d'impuretés, ou dopage, augmente leur conductivité.

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Les éléments semi-conducteurs les plus communs sont le silicium et le germanium. Les atomes de matériaux métalliques n'exercent qu'une attraction faible sur leurs électrons périphériques, ce sont de bons conducteurs. Les électrons périphériques dans les matériaux non métalliques sont retenus fermement, ce sont des isolants. Le germanium et le silicium sont à mi-chemin entre les deux. Quoique plutôt isolants à l'état pur, l'ajout d'impuretés, ou dopage, augmente leur conductivité.

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Les éléments semi-conducteurs les plus communs sont le silicium et le germanium. Les atomes de matériaux métalliques n'exercent qu'une attraction faible sur leurs électrons périphériques, ce sont de bons conducteurs. Les électrons périphériques dans les matériaux non métalliques sont retenus fermement, ce sont des isolants. Le germanium et le silicium sont à mi-chemin entre les deux. Quoique plutôt isolants à l'état pur, l'ajout d'impuretés, ou dopage, augmente leur conductivité.

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Les éléments semi-conducteurs les plus communs sont le silicium et le germanium. Les atomes de matériaux métalliques n'exercent qu'une attraction faible sur leurs électrons périphériques, ce sont de bons conducteurs. Les électrons périphériques dans les matériaux non métalliques sont retenus fermement, ce sont des isolants. Le germanium et le silicium sont à mi-chemin entre les deux. Quoique plutôt isolants à l'état pur, l'ajout d'impuretés, ou dopage, augmente leur conductivité.

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On ajoute des impuretés pour donner au germanium et au silicium leurs propriétés semi-conductrices. Certaines impuretés ajoutent des électrons libres, pour créer du matériau de type N, tandis que d'autres accaparent des électrons existants, ce qui forme les "trous" du matériau de type P.

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La diode Zener maintient un voltage constant à ses bornes sur une certaine gamme de courants. La diode varicap ou varactor agit comme un condensateur variable sous l'effet d'une polarisation inverse changeante. La diode Schottky (en anglais, "hot-carrier") a une tension de seuil plus basse et un temps de commutation plus rapide que le silicium: sa rapidité est utile dans les mélangeurs ou détecteurs à de très hautes fréquences; dans des applications de puissance, ce sera un excellent redresseur dans des alimentations à découpage. La diode PIN (P-I-N), avec sa couche de matériau intrinsèque sans dopage ou légèrement dopé entre les régions P et N, sert pour la commutation ou comme atténuateur.

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La diode Zener maintient un voltage constant à ses bornes sur une certaine gamme de courants. La diode varicap ou varactor agit comme un condensateur variable sous l'effet d'une polarisation inverse changeante. La diode Schottky (en anglais, "hot-carrier") a une tension de seuil plus basse et un temps de commutation plus rapide que le silicium: sa rapidité est utile dans les mélangeurs ou détecteurs à de très hautes fréquences; dans des applications de puissance, ce sera un excellent redresseur dans des alimentations à découpage. La diode PIN (P-I-N), avec sa couche de matériau intrinsèque sans dopage ou légèrement dopé entre les régions P et N, sert pour la commutation ou comme atténuateur.

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La diode Zener maintient un voltage constant à ses bornes sur une certaine gamme de courants. La diode varicap ou varactor agit comme un condensateur variable sous l'effet d'une polarisation inverse changeante. La diode Schottky (en anglais, "hot-carrier") a une tension de seuil plus basse et un temps de commutation plus rapide que le silicium: sa rapidité est utile dans les mélangeurs ou détecteurs à de très hautes fréquences; dans des applications de puissance, ce sera un excellent redresseur dans des alimentations à découpage. La diode PIN (P-I-N), avec sa couche de matériau intrinsèque sans dopage ou légèrement dopé entre les régions P et N, sert pour la commutation ou comme atténuateur.

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Une diode conduit dans une seule direction. En polarisation directe, le courant est limité par la hausse de température acceptable pour la jonction. La tension de seuil de la jonction (en volts) multipliée par le courant (en ampères) se traduit par une dissipation de chaleur (en watts). En polarisation inverse, le voltage maximum que la diode peut supporter est spécifié par une caractéristique dite Tension Crête Inverse (en anglais, "Working Peak Reverse Voltage").

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Une diode conduit dans une seule direction. En polarisation directe, le courant est limité par la hausse de température acceptable pour la jonction. La tension de seuil de la jonction (en volts) multipliée par le courant (en ampères) se traduit par une dissipation de chaleur (en watts). En polarisation inverse, le voltage maximum que la diode peut supporter est spécifié par une caractéristique dite Tension Crête Inverse (en anglais, "Working Peak Reverse Voltage").

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Les diodes à pointe (en anglais, "point contact diode"), faites d'un minuscule fil métallique en contact avec une pastille de semi-conducteur, offrent peu de capacité et servent comme détecteurs RF ou mélangeurs UHF. Les diodes à jonction, qui mettent en contact du matériau de type N avec du matériau de type P, sont utilisables du courant continu jusqu'à de très hautes fréquences.

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Les diodes à pointe (en anglais, "point contact diode"), faites d'un minuscule fil métallique en contact avec une pastille de semi-conducteur, offrent peu de capacité et servent comme détecteurs RF ou mélangeurs UHF. Les diodes à jonction, qui mettent en contact du matériau de type N avec du matériau de type P, sont utilisables du courant continu jusqu'à de très hautes fréquences.

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La puissance est le produit du voltage et du courant. Watts = volts multipliés par ampères. On en déduit que le courant équivaut à la puissance divisée par le voltage: 50 watts divisé par 10 volts = 5 ampères.

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La chaleur se propage d'un point chaud vers un point plus froid. Si la température ambiante est plus élevée, il devient plus difficile de drainer la chaleur produite à la jonction, la jonction atteindra plus rapidement sa température maximale.

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Dans un montage en 'Base commune' où l'Émetteur est le point d'entrée et le Collecteur la sortie, le rapport Alpha (rapport de transfert du courant) équivaut au ratio de changement du courant de Collecteur par rapport à un changement de courant d'Émetteur donné. Dans un montage en 'Émetteur commun' où la Base est le point d'entrée et le Collecteur la sortie, le rapport Bêta (rapport d’amplification de courant) équivaut au ratio de changement du courant de Collecteur par rapport à un changement de courant de Base donné. Le rapport Bêta est aussi applicable en Collecteur Commun où la Base sert également d'entrée.

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Dans un montage en 'Base commune' où l'Émetteur est le point d'entrée et le Collecteur la sortie, le rapport Alpha (rapport de transfert du courant) équivaut au ratio de changement du courant de Collecteur par rapport à un changement de courant d'Émetteur donné. Dans un montage en 'Émetteur commun' où la Base est le point d'entrée et le Collecteur la sortie, le rapport Bêta (rapport d’amplification de courant) équivaut au ratio de changement du courant de Collecteur par rapport à un changement de courant de Base donné. Le rapport Bêta est aussi applicable en Collecteur Commun où la Base sert également d'entrée.

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Les termes Émetteur, Collecteur et Base sont propres aux transistors bipolaires dont on trouve deux types: NPN et PNP. La jonction Base-Émetteur doit être en polarisation directe pour qu'il y ait conduction. Un voltage positif sur la Base suggère qu'elle soit de matériau P, donc le transistor est de type NPN. Inversement, un voltage négatif sur la Base suggère qu'elle soit de matériau N comme dans un transistor NPN.

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En anglais, le rapport Alpha est désigné "common base forward current transfer ratio". Dans un montage en 'Base commune' où l'Émetteur est le point d'entrée et le Collecteur la sortie, le rapport Alpha (rapport de transfert du courant) équivaut au ratio de changement du courant de Collecteur par rapport à un changement de courant d'Émetteur donné. Dans un montage en 'Émetteur commun' où la Base est le point d'entrée et le Collecteur la sortie, le rapport Bêta (rapport d’amplification de courant) équivaut au ratio de changement du courant de Collecteur par rapport à un changement de courant de Base donné. Le rapport Bêta est aussi applicable en Collecteur Commun où la Base sert également d'entrée.

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Dans un montage en 'Base commune' où l'Émetteur est le point d'entrée et le Collecteur la sortie, le rapport Alpha (rapport de transfert du courant) équivaut au ratio de changement du courant de Collecteur par rapport à un changement de courant d'Émetteur donné. Dans un montage en 'Émetteur commun' où la Base est le point d'entrée et le Collecteur la sortie, le rapport Bêta (rapport d’amplification de courant) équivaut au ratio de changement du courant de Collecteur par rapport à un changement de courant de Base donné. Le rapport Bêta est aussi applicable en Collecteur Commun où la Base sert également d'entrée.

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Dans un montage en 'Base commune' où l'Émetteur est le point d'entrée et le Collecteur la sortie, le rapport Alpha (rapport de transfert du courant) équivaut au ratio de changement du courant de Collecteur par rapport à un changement de courant d'Émetteur donné. Dans un montage en 'Émetteur commun' où la Base est le point d'entrée et le Collecteur la sortie, le rapport Bêta (rapport d’amplification de courant) équivaut au ratio de changement du courant de Collecteur par rapport à un changement de courant de Base donné. Le rapport Bêta est aussi applicable en Collecteur Commun où la Base sert également d'entrée.

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Les termes Émetteur, Collecteur et Base sont propres aux transistors bipolaires dont on trouve deux types: NPN et PNP. La jonction Base-Émetteur doit être en polarisation directe pour qu'il y ait conduction. Un voltage positif sur la Base suggère qu'elle soit de matériau P, donc le transistor est de type NPN. Inversement, un voltage négatif sur la Base suggère qu'elle soit de matériau N comme dans un transistor NPN.

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Le rapport Alpha (en 'Base commune') est toujours un nombre inférieur à 1 (le courant d'Émetteur est nécessairement plus grand que le courant de Collecteur puisque le courant de Base s'y ajoute pour traverser l'Émetteur). Le rapport Bêta (en 'Émetteur commun') est normalement un nombre plus grand que 10 (le courant de Collecteur est toujours plusieurs fois le courant de Base). Le rapport Alpha équivaut à Bêta divisé par 1 plus Bêta. Le rapport Bêta équivaut à Alpha divisé par 1 moins Alpha.

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Le rapport Alpha (en 'Base commune') est toujours un nombre inférieur à 1 (le courant d'Émetteur est nécessairement plus grand que le courant de Collecteur puisque le courant de Base s'y ajoute pour traverser l'Émetteur). Le rapport Bêta (en 'Émetteur commun') est normalement un nombre plus grand que 10 (le courant de Collecteur est toujours plusieurs fois le courant de Base). Le rapport Alpha équivaut à Bêta divisé par 1 plus Bêta. Le rapport Bêta équivaut à Alpha divisé par 1 moins Alpha.

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Le rapport Alpha (en 'Base commune') est toujours un nombre inférieur à 1 (le courant d'Émetteur est nécessairement plus grand que le courant de Collecteur puisque le courant de Base s'y ajoute pour traverser l'Émetteur). Le rapport Bêta (en 'Émetteur commun') est normalement un nombre plus grand que 10 (le courant de Collecteur est toujours plusieurs fois le courant de Base). Le rapport Alpha équivaut à Bêta divisé par 1 plus Bêta. Le rapport Bêta équivaut à Alpha divisé par 1 moins Alpha.

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Au repos, le Transistor à Effet de Champ avec Enrichissement (en anglais, "Enhancement-Mode") et Porte Isolée NE comporte PAS de canal: sans voltage sur la Porte, il n'y a pas de courant de Drain. Une polarisation directe de la Porte hausse la concentration de porteurs; un canal se forme, un courant circule. Le Transistor à Effet de Champ avec Appauvrissement (en anglais, "Depletion-Mode") et Porte Isolée inclut un canal. Un courant de Drain est possible même sans polarisation sur la Porte. Une polarisation inverse sur la Porte réduit le nombre de porteurs disponibles dans le canal, ce qui réduit le courant de Drain. Une polarisation directe sur la Porte rend le canal encore plus conducteur.

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Au repos, le Transistor à Effet de Champ avec Enrichissement (en anglais, "Enhancement-Mode") et Porte Isolée NE comporte PAS de canal: sans voltage sur la Porte, il n'y a pas de courant de Drain. Une polarisation directe de la Porte hausse la concentration de porteurs; un canal se forme, un courant circule. Le Transistor à Effet de Champ avec Appauvrissement (en anglais, "Depletion-Mode") et Porte Isolée inclut un canal. Un courant de Drain est possible même sans polarisation sur la Porte. Une polarisation inverse sur la Porte réduit le nombre de porteurs disponibles dans le canal, ce qui réduit le courant de Drain. Une polarisation directe sur la Porte rend le canal encore plus conducteur.

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La Porte d'un Transistor à Effet de Champ à semi-conducteur d'Oxyde de Métal (MOSFET), le type le plus commun de Transistor à Effet de Champ à Porte Isolée (IGFET), est isolée du reste du composant par une mince couche d'oxyde. L'électricité statique ou un voltage excessif peut aisément détruire cette couche isolante.

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La Porte d'un Transistor à Effet de Champ à semi-conducteur d'Oxyde de Métal (MOSFET), le type le plus commun de Transistor à Effet de Champ à Porte Isolée (IGFET), est isolée du reste du composant par une mince couche d'oxyde. L'électricité statique ou un voltage excessif peut aisément détruire cette couche isolante.

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Les transistors bipolaires fonctionnent avec une polarisation directe, donc conduction, de la jonction Base-Émetteur. Les transistors bipolaires travaillent principalement sur le courant. L'impédance, comme rapport de la tension au courant, est nécessairement basse si la tension est faible et le courant élevé. Le Transistor à Effet de Champ, avec sa polarisation inverse sur la porte, et le Transistor à Effet de Champ à semi-conducteur d'Oxyde de Métal (MOSFET) dont la Porte est isolée, offre une impédance d'entrée très élevée.

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Rappelez-vous la Compétence de Base. Le Transistor à Effet de Champ comprend trois électrodes: la Porte, le Drain et la Source. On en retrouve deux types: Canal P et Canal N.

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Cette question semble trop facile, les mots utilisés vous fournissent la réponse.

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Le redresseur commandé au silicium (en anglais, "Silicon Controlled Rectifier") ou thyristor comprend 4 couches dopées alternativement, soit PNPN, et 3 électrodes: Anode, Porte (ou gâchette) et Cathode. Les 2 extrémités, l'Anode et la Cathode, sont respectivement de type P et de type N. Au repos, l'Anode et la Cathode sont séparées par une jonction N-P en polarisation inverse: il n'y a pas de conduction. Un voltage positif sur la Porte enclenche la conduction, qui se poursuit tant que le courant excède un niveau donné, le thyristor ressemble maintenant à une diode à jonction en polarisation directe. À la sortie d'un bloc d'alimentation, le thyristor protège l'équipement d'une défaillance du régulateur.

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Le redresseur commandé au silicium (en anglais, "Silicon Controlled Rectifier") ou thyristor comprend 4 couches dopées alternativement, soit PNPN, et 3 électrodes: Anode, Porte (ou gâchette) et Cathode. Les 2 extrémités, l'Anode et la Cathode, sont respectivement de type P et de type N. Au repos, l'Anode et la Cathode sont séparées par une jonction N-P en polarisation inverse: il n'y a pas de conduction. Un voltage positif sur la Porte enclenche la conduction, qui se poursuit tant que le courant excède un niveau donné, le thyristor ressemble maintenant à une diode à jonction en polarisation directe. À la sortie d'un bloc d'alimentation, le thyristor protège l'équipement d'une défaillance du régulateur.

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Le redresseur commandé au silicium (en anglais, "Silicon Controlled Rectifier") ou thyristor comprend 4 couches dopées alternativement, soit PNPN, et 3 électrodes: Anode, Porte (ou gâchette) et Cathode. Les 2 extrémités, l'Anode et la Cathode, sont respectivement de type P et de type N. Au repos, l'Anode et la Cathode sont séparées par une jonction N-P en polarisation inverse: il n'y a pas de conduction. Un voltage positif sur la Porte enclenche la conduction, qui se poursuit tant que le courant excède un niveau donné, le thyristor ressemble maintenant à une diode à jonction en polarisation directe. À la sortie d'un bloc d'alimentation, le thyristor protège l'équipement d'une défaillance du régulateur.

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Le redresseur commandé au silicium (en anglais, "Silicon Controlled Rectifier") ou thyristor comprend 4 couches dopées alternativement, soit PNPN, et 3 électrodes: Anode, Porte (ou gâchette) et Cathode. Les 2 extrémités, l'Anode et la Cathode, sont respectivement de type P et de type N. Au repos, l'Anode et la Cathode sont séparées par une jonction N-P en polarisation inverse: il n'y a pas de conduction. Un voltage positif sur la Porte enclenche la conduction, qui se poursuit tant que le courant excède un niveau donné, le thyristor ressemble maintenant à une diode à jonction en polarisation directe. À la sortie d'un bloc d'alimentation, le thyristor protège l'équipement d'une défaillance du régulateur.

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Le redresseur commandé au silicium (en anglais, "Silicon Controlled Rectifier") ou thyristor comprend 4 couches dopées alternativement, soit PNPN, et 3 électrodes: Anode, Porte (ou gâchette) et Cathode. Les 2 extrémités, l'Anode et la Cathode, sont respectivement de type P et de type N. Au repos, l'Anode et la Cathode sont séparées par une jonction N-P en polarisation inverse: il n'y a pas de conduction. Un voltage positif sur la Porte enclenche la conduction, qui se poursuit tant que le courant excède un niveau donné, le thyristor ressemble maintenant à une diode à jonction en polarisation directe. À la sortie d'un bloc d'alimentation, le thyristor protège l'équipement d'une défaillance du régulateur.

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Le redresseur commandé au silicium (en anglais, "Silicon Controlled Rectifier") ou thyristor comprend 4 couches dopées alternativement, soit PNPN, et 3 électrodes: Anode, Porte (ou gâchette) et Cathode. Les 2 extrémités, l'Anode et la Cathode, sont respectivement de type P et de type N. Au repos, l'Anode et la Cathode sont séparées par une jonction N-P en polarisation inverse: il n'y a pas de conduction. Un voltage positif sur la Porte enclenche la conduction, qui se poursuit tant que le courant excède un niveau donné, le thyristor ressemble maintenant à une diode à jonction en polarisation directe. À la sortie d'un bloc d'alimentation, le thyristor protège l'équipement d'une défaillance du régulateur.

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